Stratix IV E (напряжение питания ядра 0.9 В) | |||||
EP4SE230 | EP4SE360 | EP4SE530 | EP4SE820 | ||
Ресурсы | Кол-во адаптивных логических модулей | 91 200 | 141 440 | 212 480 | 325 220 |
Кол-во эквивалентных логических элементов, тысяч | 228 | 354 | 531 | 813 | |
Кол-во триггеров (1) | 182 400 | 282 880 | 424 960 | 650 440 | |
Кол-во блоков встроенного ОЗУ M9K | 1 235 | 1 248 | 1 280 | 1 610 | |
Кол-во блоков встроенного ОЗУ M144K | 22 | 48 | 64 | 60 | |
Объем памяти MLAB (кбит) | 2 850 | 4 420 | 6 640 | 10 163 | |
Объем встроенного ОЗУ (кбит) | 14 283 | 18 144 | 20 736 | 23 130 | |
Кол-во умножителей 18 x 18 |
1 288 | 1 040 | 1 024 | 960 | |
Архитектурные особенности | Кол-во глобальных цепей тактирования | 16 | |||
Кол-во региональных цепей тактирования | 64 | 88 | 88 | 88 | |
Кол-во периферийных цепей тактирования | 88 | 88 | 112 | 132 | |
Кол-во PLL | 4 | 12 | 12 | 12 | |
Защита проекта от копирования | Есть | ||||
Размер конфигурационного файла (Мбит) | 95 | 141 | 172 | 230 | |
Поддержка миграции в HardCopy | Есть | ||||
Прочее | Управление энергопотреблением (технология Programmable Power) | ||||
Подсистема ввода-вывода | Поддерживаемые уровни напряжения ввода-вывода (В) | 1.2, 1.5, 1.8, 2.5, 3.3 (2) | |||
Поддерживаемые стандарты ввода-вывода | LVTTL, LVCMOS, PCI, PCI-X, LVDS, mini-LVDS, RSDS, LVPECL, Differential SSTL-15, Differential SSTL-18, Differential SSTL-2, Differential HSTL-12, Differential HSTL-15, Differential HSTL-18, SSTL-15 (I and II), SSTL-18 (I and II), SSTL-2 (I and II), 1.2-V HSTL (I and II), 1.5-V HSTL (I and II), 1.8-V HSTL (I and II) | ||||
Кол-во эмулируемых каналов LVDS | 128 | 256 | 256 | 288 | |
Кол-во каналов LVDS (RX/TX) | 56 | 88 | 112 | 132 | |
Встроенные цепи динамического выравнивания фаз (DPA) | Есть | ||||
Встроенные терминирующие резисторы (OCT) | Последовательные, параллельные и дифференциальные | ||||
Поддерживаемые интерфейсы внешней памяти | DDR3, DDR2, DDR, QDR II, QDR II+, RLDRAM II, SDR |
(1) При использовании адаптивных логических модулей в режиме LUTREG количество триггеров может увеличиться на 50%.
назад
(2) Для совместимости с уровнем 3.3 В тебуется напряжение питания ввода-вывода 3.0 В..
назад
Семейство СБИС ПЛ | Тип корпуса | FBGA (F) | ||||
Кол-во выводов | 484 | 780 | 1152 | 1517 | 1760 | |
Габариты корпуса (мм) | 23 x 23 | 29 x 29 | 35 x 35 | 40 x 40 | 42.5 x 42.5 | |
Расстояние между соседними выводами (мм) |
1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | |
Stratix IV E | EP4SE820 | 736 (3) | 960 (3) | 1104 | ||
EP4SE530 | 736 (3) | 960 (3) | 960 | |||
EP4SE360 | 480 (2) | 736 | ||||
EP4SE230 | 480 | |||||
Stratix III E (1) | EP3SE260 (3) | 480 (2) | 736 | 960 | ||
EP3SE110 | 480 | 736 | ||||
EP3SE80 | 480 | 736 | ||||
EP3SE50 | 288 | 480 | ||||
Stratix III L (1) | EP3SL340 | 736 (3) | 960 | 1104 | ||
EP3SL200 | 480 (2) | 736 | 960 | |||
EP3SL150 | 480 | 736 | ||||
EP3SL110 | 480 | 736 | ||||
EP3SL70 | 288 | 480 | ||||
EP3SL50 | 288 | 480 |
(1) Указанное кол-во линий ввода-вывода не включает специализированные тактовые входы, которые могут использоваться и как входы данных.
назад
(2) Тип корпуса Hybrid FBGA (технология сборки flip chip): габариты корпуса 35 x 35 мм, расстояние между соседними выводами 1.0 мм.
назад
(3) Тип корпуса Hybrid FBGA (технология сборки flip chip): габариты корпуса 42.5 x 42.5 мм, расстояние между соседними
выводами 1.0 мм.
назад
— Возможность вертикальной миграции
Дистрибуция электронных компонентов
Конструктивы и корпуса РЭА
Микроконтроллеры
Электротехническая продукция
Силовая электроника
Источники питания
Мир беспроводных решений
Волоконно-оптические компоненты
Профессиональные усилители класса D
Датчики и первичные преобразователи
Продукция Lattice Semiconductor
© All rights reserved. EFO Ltd. При использовании материалов ссылка на источник обязательна.
Создание сайта