Arria V ST (напряжение питания ядра 1.1 В) (1) | |||
5ASTD3 | 5ASTD5 | ||
Ресурсы | Кол-во адаптивных логических модулей | 132 075 | 174 340 |
Кол-во эквивалентных логических элементов, тысяч | 350 | 462 | |
Кол-во триггеров | 528 300 | 697 360 | |
Кол-во блоков встроенного ОЗУ M10K | 1 729 | 2 282 | |
Объем встроенного ОЗУ M10K (кбит) | 17 288 | 22 820 | |
Объем памяти MLAB (кбит) | 2 014 | 2 658 | |
Кол-во DSP-блоков переменной точности | 809 | 1 068 | |
Кол-во умножителей 18 x 18 |
1 618 | 2 186 | |
Архитектурные особенности | Аппаратный процессорный блок (ARM Cortex-A9) | Двухъядерный | Двухъядерный |
Кол-во глобальных тактовых линий | 16 | ||
Кол-во блоков PLL массива программируемой логики (2) | 10 | 14 | |
Кол-во блоков PLL аппаратного процессорного блока (2) | 3 | 3 | |
Размер конфигурационного файла (Мбит) (3) | н/о | н/о | |
Защита проекта от копирования | Есть | ||
Подсистема ввода-вывода | Поддерживаемые уровни напряжения ввода-вывода (В) | 1.2, 1.5, 1.8, 2.5, 3.0, 3.3 (4) | |
Поддерживаемые стандарты ввода-вывода | LVTTL, LVCMOS, PCI, PCI-X, LVDS, mini-LVDS, RSDS, LVPECL, Differential SSTL-15, Differential SSTL-18, Differential SSTL-2, Differential HSTL-12, Differential HSTL-15, Differential HSTL-18, SSTL-15 (I and II), SSTL-18 (I and II), SSTL-2 (I and II), 1.2-V HSTL (I and II), 1.5-V HSTL (I and II), 1.8-V HSTL (I and II) | ||
Кол-во передатчиков LVDS (TX) | 120 | 120 | |
Кол-во приемников LVDS (RX) | 120 | 120 | |
Встроенные цепи динамического выравнивания фаз (DPA) | Есть | ||
Встроенные терминирующие резисторы (OCT) | Последовательные и дифференциальные | ||
Программируемая нагрузочная способность выходов | Есть | ||
Кол-во трансиверов со скоростью передачи 10.3125 Гбит/с |
6 | 6 | |
Кол-во трансиверов со скоростью передачи 6.375 Гбит/с |
30 | 30 | |
Кол-во аппаратных контроллеров PCIe (Gen2 x 4 lane) |
2 | 2 | |
Максимальное кол-во линий ввода-вывода массива программируемой логики | 528 | 528 | |
Максимальное кол-во линий ввода-вывода аппаратного процессорного блока | 216 | 216 | |
Кол-во аппаратных контроллеров внешней памяти массива программируемой логики (5) | 3 | 3 | |
Кол-во контроллеров внешней памяти апаратного процессорного блока (5) | 1 | 1 | |
Поддерживаемые интерфейсы внешней памяти | DDR3, DDR2, DDR, QDR II, QDR II+, RLDRAM II, LPDDR2 (6), SDR |
(1) Все данные - предварительные.
назад
(2) Общее кол-во блоков PLL, включающее блоки fPLL общего назначения и блоки fPLL трансиверов.
назад
(3) Данные будут определены позднее.
назад
(4) Для совместимости с уровнем 3.3 В требуется напряжение питания ввода-вывода 3.0 В.
назад
(5) Аппаратные контроллеры внешней памяти имеют средства 16- и 32-битной коррекции ошибок (ECC).
назад
(6) Данный интерфейс внешней памяти не поддерживаются текущей библиотекой IP-ядер Altera.
назад
Тип корпуса | FBGA (F) (1) | ||
Кол-во выводов | 896 | 1152 | 1517 |
Габариты корпуса (мм) | 31 x 31 | 35 x 35 | 40 x 40 |
Расстояние между соседними выводами (мм) | 1.0 | 1.0 | 1.0 |
5ASXB3 |
178 / 216 12 / 0 |
350 / 216 18 / 0 |
528 / 216 30 / 0 |
5ASXB5 |
178 / 216 12 / 0 |
350 / 216 18 / 0 |
528 / 216 30 / 0 |
5ASTD3 |
178 / 216 6 / 2 |
350 / 216 12 / 2 |
528 / 216 12 / 6 |
5ASTD5 |
178 / 216 6 / 2 |
350 / 216 12 / 2 |
528 / 216 12 / 6 |
(1) Все данные - предварительные.
назад
Верхние значения - кол-ва пользовательских линий ввода-вывода массива программируемой логики и аппаратного процессорного блока соответственно;
нижние значения - кол-ва трансиверных каналов 6.375 Гбит/с и 10.3125 Гбит/с соответственно.
— Возможность вертикальной миграции
Дистрибуция электронных компонентов
Конструктивы и корпуса РЭА
Микроконтроллеры
Электротехническая продукция
Силовая электроника
Источники питания
Мир беспроводных решений
Волоконно-оптические компоненты
Профессиональные усилители класса D
Датчики и первичные преобразователи
Продукция Lattice Semiconductor
© All rights reserved. EFO Ltd. При использовании материалов ссылка на источник обязательна.
Создание сайта