Загрузка программных средств разработки

СБИС ПЛ подсемейства Stratix IV GT


Ресурсы СБИС ПЛ Stratix IV GT

  Stratix IV GT (напряжение питания ядра 0.95 В) (1)
EP4S40G2 EP4S40G5 EP4S100G2 EP4S100G3 EP4S100G4 EP4S100G5
Ресурсы Кол-во адаптивных логических модулей 91 200 212 480 91 200 116 480 141 440 212 480
Кол-во эквивалентных логических элементов, тысяч 228 531 228 291 354 531
Кол-во триггеров (2) 182 400 424 960 182 400 232 960 282 880 424 960
Кол-во блоков встроенного ОЗУ M9K 1 235 1 280 1 235 936 1 248 1 280
Кол-во блоков встроенного ОЗУ M144K 22 64 22 36 48 64
Объем памяти MLAB (кбит) 2 850 6 640 2 850 3 640 4 420 6 640
Объем встроенного ОЗУ (кбит) 14 283 20 736 14 283 13 608 18 144 20 736
Кол-во умножителей
18 x 18
1 288 1 024 1 288 832 1 024 1 024
Архитектурные особенности Кол-во глобальных цепей тактирования 16
Кол-во региональных цепей тактирования 64 88 64 88 88 88
Кол-во периферийных цепей тактирования 88 112 88 112 112 112
Кол-во PLL 8 8 8 12 12 12
Защита проекта от копирования Есть
Поддержка миграции в HardCopy Нет
Размер конфигурационного файла (Мбит) 95 172 95 172 172 172
Прочее Встроенные средства обеспечения целостности сигналов,
управление энергопотреблением (технология Programmable Power)
Подсистема ввода-вывода Поддерживаемые уровни напряжения ввода-вывода (В) 1.2, 1.5, 1.8, 2.5, 3.3 (3)
Поддерживаемые стандарты ввода-вывода LVTTL, LVCMOS, PCI, PCI-X, LVDS, mini-LVDS, RSDS, LVPECL, Differential SSTL-15, Differential SSTL-18, Differential SSTL-2, Differential HSTL-12, Differential HSTL-15, Differential HSTL-18, SSTL-15 (I and II), SSTL-18 (I and II), SSTL-2 (I and II), 1.2-V HSTL (I and II), 1.5-V HSTL (I and II), 1.8-V HSTL (I and II)
Кол-во эмулируемых каналов LVDS 192 256 192 256 256 256
Кол-во каналов LVDS (RX/TX) 46
Встроенные цепи динамического выравнивания фаз (DPA) Есть
Встроенные терминирующие резисторы (OCT) Последовательные, параллельные и дифференциальные
Кол-во трансиверов со скоростью передачи
11.3 Гбит/с (4)
12 12 24 24 24 32
Кол-во трансиверов со скоростью передачи
8.5 Гбит/с (4)
12 12 0 8 8 0
Кол-во трансиверов со скоростью передачи
6.5 Гбит/с (4)
12 12 12 16 16 16
Кол-во аппаратных контроллеров PCIe 2 2 2 4 4 4
Поддерживаемые интерфейсы внешней памяти DDR3, DDR2, DDR, QDR II, QDR II+, RLDRAM II, SDR

(1) Доступны только в индустриальном исполнении (температурный диапазон от 0°C до 100°C).
     назад
(2) При использовании адаптивных логических модулей в режиме LUTREG количество триггеров может увеличиться на 50%.
     назад
(3) Для совместимости с уровнем 3.3 В требуется напряжение питания ввода-вывода 3.0 В.
     назад
(4) Общее кол-во трансиверов в микросхеме является суммой количеств трансиверов со скоростями передачи 11.3
Гбит/с, 8.5 Гбит/с и 6.5 Гбит/с.
     назад


Типы корпусов и количество линий ввода-вывода СБИС ПЛ Stratix IV GT

Тип корпуса FBGA (F)
Кол-во выводов 1517 1932
Габариты корпуса (мм) 40 x 40 45 x 45
Расстояние между соседними выводами (мм) 1.0 1.0
EP4S40G2 646
12 / 12 / 12
 
EP4S40G5 646 (1)
12 / 12 / 12
 
EP4S100G2 646
24 / 0 / 12
 
EP4S100G3   769
24 / 8 / 16
EP4S100G4   769
24 / 8 / 16
EP4S100G5 646 (1)
24 / 0 / 12
769
32 / 0 / 16

(1) Тип корпуса Hybrid FBGA (технология сборки flip chip): габариты корпуса 42.5 x 42.5 мм, расстояние между соседними
выводами 1.0 мм.
     назад
Верхнее значение - кол-во пользовательских линий ввода-вывода;
нижние значения - кол-ва трансиверных каналов со скоростями передачи 11.3 Гбит/с, 8.5 Гбит/с и 6.5 Гбит/с соответственно.
— Возможность вертикальной миграции

Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru

Конструктивы и корпуса РЭА
www.korpusa.ru

Микроконтроллеры
www.mymcu.ru

Электротехническая продукция www.efo-electro.ru

Источники питания
www.powel.ru

Мир беспроводных решений
www.wless.ru

Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru

Профессиональные усилители класса D www.sound-power.ru

Датчики и первичные преобразователи www.efo-sensor.ru

Кварцевые резонаторы и генераторы www.golledge.ru

Силовая электроника
www.efo-power.ru

Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru

Компоненты для промавтоматики www.efomation.ru

Продукция Lattice Semiconductor www.latticesemi.ru

© All rights reserved. EFO Ltd. При использовании материалов ссылка на источник обязательна.

Создание сайта
ОлевМедиа, 2012