Stratix III L(напряжение питания ядра 1.1 В, 0.9 В) | |||||||
EP3SL50 | EP3SL70 | EP3SL110 | EP3SL150 | EP3SL200 | EP3SL340 | ||
Ресурсы | Кол-во адаптивных логических модулей | 19 000 | 27 000 | 42 600 | 56 800 | 79 560 | 135 200 |
Кол-во эквивалентных логических элементов, тысяч | 47.5 | 67.5 | 107.5 | 143 | 199 | 338 | |
Кол-во триггеров (1) | 38 000 | 54 000 | 85 200 | 113 600 | 159 120 | 270 400 | |
Кол-во блоков встроенного ОЗУ M9K | 108 | 150 | 275 | 355 | 468 | 1 040 | |
Кол-во блоков встроенного ОЗУ M144K | 6 | 6 | 12 | 16 | 36 | 48 | |
Объем памяти MLAB (кбит) (2) | 297 | 422 | 672 | 891 | 1 250 | 2 110 | |
Объем встроенного ОЗУ (кбит) | 1 836 | 2 214 | 4 203 | 5 499 | 9 396 | 16 272 | |
Кол-во умножителей 18 x 18 |
216 | 288 | 288 | 384 | 576 | 576 | |
Архитектурные особенности | Кол-во глобальных цепей тактирования | 16 | |||||
Кол-во региональных цепей тактирования | 48 | 48 | 48 | 48 | 88 | 88 | |
Кол-во периферийных цепей тактирования | 104 | 104 | 208 | 208 | 208 | 208 | |
Кол-во блоков PLL | 4 | 4 | 8 | 8 | 12 | 12 | |
Защита проекта от копирования | Есть | ||||||
Размер конфигурационного файла (Мбит) | 22 | 22 | 47 | 47 | 66 | 120 | |
Поддержка миграции в HardCopy | Есть | ||||||
Прочее | Управление энергопотреблением (технология Programmable Power) | ||||||
Подсистема ввода-вывода | Поддерживаемые уровни напряжения ввода-вывода (В) | 1.2, 1.5, 1.8, 2.5, 3.3 | |||||
Поддерживаемые стандарты ввода-вывода | LVDS, LVPECL, Differential SSTL-18, Differential SSTL-2, Differential HSTL, SSTL-18 (I and II), SSTL-15 (I and II), SSTL-2 (I and II), 1.5-V HSTL (I and II), 1.8-V HSTL (I and II), PCI, PCI-X 1.0, LVTTL, LVCMOS | ||||||
Кол-во эмулируемых каналов LVDS | 56 | 56 | 88 | 88 | 112 | 137 | |
Кол-во каналов LVDS (RX/TX) | 56 | 56 | 88 | 88 | 112 | 132 | |
Встроенные цепи динамического выравнивания фаз (DPA) | Есть | ||||||
Встроенные терминирующие резисторы (OCT) | Последовательные, параллельные и дифференциальные | ||||||
Поддерживаемые интерфейсы внешней памяти | DDR3, DDR2, DDR, QDR II, RLDRAM II, SDR |
(1) При использовании адаптивных логических модулей в режиме LUTREG количество триггеров может увеличиться на 50%.
назад
(2) Объем памяти MLAB при использовании ее в режиме ПЗУ в два раза больше, чем при использовании в режиме ОЗУ.
назад
Семейство СБИС ПЛ | Тип корпуса | FBGA (F) | ||||
Кол-во выводов | 484 | 780 | 1152 | 1517 | 1760 | |
Габариты корпуса (мм) | 23 x 23 | 29 x 29 | 35 x 35 | 40 x 40 | 42.5 x 42.5 | |
Расстояние между соседними выводами (мм) |
1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | |
Stratix IV E | EP4SE820 | 736 (3) | 960 (3) | 1104 | ||
EP4SE530 | 736 (3) | 960 (3) | 960 | |||
EP4SE360 | 480 (2) | 736 | ||||
EP4SE230 | 480 | |||||
Stratix III E (1) | EP3SE260 (3) | 480 (2) | 736 | 960 | ||
EP3SE110 | 480 | 736 | ||||
EP3SE80 | 480 | 736 | ||||
EP3SE50 | 288 | 480 | ||||
Stratix III L (1) | EP3SL340 | 736 (3) | 960 | 1104 | ||
EP3SL200 | 480 (2) | 736 | 960 | |||
EP3SL150 | 480 | 736 | ||||
EP3SL110 | 480 | 736 | ||||
EP3SL70 | 288 | 480 | ||||
EP3SL50 | 288 | 480 |
(1) Указанное кол-во линий ввода-вывода не включает специализированные тактовые входы, которые могут использоваться и как входы данных.
назад
(2) Тип корпуса Hybrid FBGA (технология сборки flip chip): габариты корпуса 35 x 35 мм, расстояние между соседними выводами 1.0 мм.
назад
(3) Тип корпуса Hybrid FBGA (технология сборки flip chip): габариты корпуса 42.5 x 42.5 мм, расстояние между соседними
выводами 1.0 мм.
назад
— Возможность вертикальной миграции
Дистрибуция электронных компонентов
Конструктивы и корпуса РЭА
Микроконтроллеры
Электротехническая продукция
Силовая электроника
Источники питания
Мир беспроводных решений
Волоконно-оптические компоненты
Профессиональные усилители класса D
Датчики и первичные преобразователи
Продукция Lattice Semiconductor
© All rights reserved. EFO Ltd. При использовании материалов ссылка на источник обязательна.
Создание сайта