Загрузка программных средств разработки

СБИС ПЛ семейства Stratix

СБИС ПЛ первого поколения Stratix содержат встроенные DSP-блоки, блоки встроенного ОЗУ большой емкости и гибкую подсистему ввода-вывода.

Семейство Stratix включает в себя подсемейство Stratix GX, микросхемы которого имеют встроенные трансиверы с максимальной скоростью передачи данных 3.1785 Гбит/с.


Ресурсы СБИС ПЛ Stratix

  Stratix (напряжение питания ядра 1.5 B)
EP1S10 EP1S20 EP1S25 EP1S30 EP1S40 EP1S60 EP1S80
Ресурсы Кол-во логических элементов 10 570 18 460 25 660 32 470 41 250 57 120 79 040
Объем встроенного ОЗУ (Кбит) 920 1 669 1 944 3 317 3 423 5 215 7 427
Кол-во блоков встроенного ОЗУ M512 94 194 224 295 384 574 767
Кол-во блоков встроенного ОЗУ M4K 60 82 138 171 183 292 364
Кол-во блоков встроенного ОЗУ M-RAM 1 2 2 4 4 6 9
Архитектурные особенности Кол-во DSP-блоков 6 10 10 12 14 18 22
Кол-во умножителей
18 x 18 / 9 x 9
24 / 48 40 / 80 40 / 80 48 / 96 56 / 112 72 / 144 88 / 176
Кол-во триггеров в элементе ввода-вывода 6
Режим истинного двухпортового ОЗУ Есть
Кол-во глобальных и локальных цепей тактирования 36 36 36 40 40 40 40
Кол-во блоков
PLL / выходов PLL
6 / 32 6 / 32 6 / 32 10 / 40 12 / 52 12 / 52 12 / 52
Поддержка миграции в HardCopy Нет Нет Есть Есть Есть Есть Есть
Подсистема ввода-вывода Поддерживаемые уровни напряжения ввода-вывода (В) 1.5, 1.8, 2.5, 3.3
Поддерживаемые стандарты ввода-вывода LVDS, LVPECL, HyperTransport, 3.3-V PCML, Differential SSTL-2, Differential HSTL, SSTL-18 (I & II), SSTL-2 (I & II), SSTL-3 (I & II), 1.5-V HSTL (I & II), 1.8-V HSTL (I & II), PCI, Compact-PCI, PCI-X 1.0, AGP (1x & 2x), GTL, GTL+, CTT, LVTTL, LVCMOS
Максимальная скорость обмена данными по LVDS (Мбит/с) 800
Кол-во каналов LVDS (RX/TX) 44 / 44 66 / 66 78 / 78 80 / 80 80 / 80 80 / 80 80 / 80
Кол-во каналов Medium-Speed LVDS - - - 462 462 462 462
Встроенные цепи динамического выравнивания фаз (DPA) Нет
Встроенные терминирующие резисторы (OCT) Последовательные и дифференциальные
Программируемая нагрузочная способность выходов Есть
Поддерживаемые интерфейсы внешней памяти QDRII, QDR, ZBT, DDR, SDR

Ресурсы СБИС ПЛ Stratix GX

  Stratix GX (напряжение питания ядра 1.5 B)
EP1SGX10C EP1SGX10D EP1SGX25C EP1SGX25D EP1SGX25F EP1SGX40D EP1SGX40G
Ресурсы Кол-во логических элементов 10 570 10 570 25 660 25 660 25 660 41 250 41 250
Объем встроенного ОЗУ (Кбит) 920 920 1 944 1 944 1 944 3 423 3 423
Кол-во блоков встроенного ОЗУ M512 94 94 224 224 224 384 384
Кол-во блоков встроенного ОЗУ M4K 60 60 138 138 138 183 183
Кол-во блоков встроенного ОЗУ M-RAM 1 1 2 2 2 4 4
Архитектурные особенности
Кол-во DSP-блоков 6 6 10 10 10 14 14
Кол-во умножителей
18 x 18 / 9 x 9
24 / 48 24 / 48 40 / 80 40 / 80 40 / 80 56 / 112 56 / 112
Кол-во триггеров в элементе ввода-вывода 6
Режим истинного двухпортового ОЗУ Есть
Кол-во глобальных и локальных цепей тактирования 36 36 36 36 36 40 40
Кол-во блоков
PLL / выходов PLL
4 / 26 4 / 26 4 / 26 4 / 26 4 / 26 8 / 42 8 / 42
Поддержка миграции в HardCopy Нет
Подсистема ввода-вывода Поддерживаемые уровни напряжения ввода-вывода (В) 1.5, 1.8, 2.5, 3.3
Поддерживаемые стандарты ввода-вывода LVDS, LVPECL, HyperTransport, 3.3-V PCML, Differential SSTL-2, Differential HSTL, SSTL-18 (I & II), SSTL-2 (I & II), SSTL-3 (I & II), 1.5-V HSTL (I & II), 1.8-V HSTL (I & II), PCI, Compact-PCI, PCI-X 1.0, AGP (1x & 2x), GTL, GTL+, CTT, LVTTL, LVCMOS
Максимальная скорость обмена данными по LVDS (Mбит/с) 1000
Кол-во каналов LVDS (RX/TX) 22 / 22 22 / 22 39 / 39 39 / 39 39 / 39 45 / 45 45 / 45
Кол-во каналов Medium-Speed LVDS Нет
Встроенные цепи динамического выравнивания фаз (DPA) Есть
Встроенные терминирующире резисторы (OCT ) Последовательные и дифференциальные
Программируемая нагрузочная способность выходов Есть
Диапазон скоростей передачи трансиверов 500 Мбит/с - 3.1875 Гбит/с
Кол-во трансиверных каналов 4 8 4 8 16 8 20
Поддерживаемые интерфейсы внешней памяти QDRII, QDR, ZBT, DDR, SDR

Типы корпусов и количество линий ввода-вывода СБИС ПЛ Stratix

Типы корпусов Stratix
EP1S10 EP1S20 EP1S25 EP1S30 EP1S40 EP1S60 EP1S80
FineLine Ball Grid Array,
FBGA (F)
672-Pin (Wirebond) 345 426 473        
780-Pin 426 586 697 589 615    
1020-Pin     706 726 773 773 773
1508-Pin         822 1022 1203
Ball Grid Array,
BGA (B)
672-Pin 356 426 473        
956-Pin       683 683 683 683

Возможность вертикальной миграции

Типы корпусов и количество линий ввода-вывода СБИС ПЛ Stratix GX

Типы корпусов Stratix GX
EP1SGX10C EP1SGX10D EP1SGX25C EP1SGX25D EP1SGX25F EP1SGX40D EP1SGX40G
FineLine Ball Grid Array
FBGA (F)
672-Pin (FlipChip) 362 362 455 455      
1020-Pin       607 607 624 624

Возможность вертикальной миграции

Информация о типах корпусов

Типы корпусов BGA FBGA HFBGA
Количество выводов 672 956 484 672 672 780 1020 1152 1508 484
Технология сборки Wirebond FlipChip FlipChip Wirebond FlipChip FlipChip FlipChip FlipChip FlipChip FlipChip
Габариты корпуса (мм) 35 x 35 40 x 40 23 x 23 27 x 27 27 x 27 29 x 29 33 x 33 35 x 35 40 x 40 27 x 27
Максимальная занимаемая площадь (мм2) 1 239 1 616 538 740 740 853 1 102 1 239 1 616 740
Максимальная высота корпуса (мм) 2.6 3.5 3.5 2.6 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5
Расстояние между соседними выводами (мм) 1.27 1.27 1 1 1 1 1 1 1 1
Максимальный диаметр вывода (мм) 0.9 0.9 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7

Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru

Конструктивы и корпуса РЭА
www.korpusa.ru

Микроконтроллеры
www.mymcu.ru

Электротехническая продукция www.efo-electro.ru

Источники питания
www.powel.ru

Мир беспроводных решений
www.wless.ru

Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru

Профессиональные усилители класса D www.sound-power.ru

Датчики и первичные преобразователи www.efo-sensor.ru

Кварцевые резонаторы и генераторы www.golledge.ru

Силовая электроника
www.efo-power.ru

Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru

© All rights reserved. EFO Ltd. При использовании материалов ссылка на источник обязательна.

Создание сайта
ОлевМедиа, 2012